Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFR3607PBF

Ном. номер: 8001787720
PartNumber: IRFR3607PBF
Производитель: Infineon Technologies
IRFR3607PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
63 руб.
150 шт. со склада г.Москва
от 75 шт. — 57 руб.
от 150 шт. — 54.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 69 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. 6 дней, 190 шт. 1 шт. 2 шт.
от 22 шт. — 71 руб.
от 43 шт. — 64 руб.
от 75 шт. — 59 руб.
190 руб. 16 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 130 руб.
от 5 шт. — 92 руб.
от 10 шт. — 76 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: TO252

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
43 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3070 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.608

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.