BC847C.235

Ном. номер: 8001788628
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/2 BC847C.235
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BC847C.235
0.90 руб.
23175 шт. со склада г.Москва
от 5700 шт. — 0.79 руб.
от 10000 шт. — 0.76 руб.
от 20000 шт. — 0.73 руб.
Мин. кол-во для заказа 5103 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 230 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 10000, корпус: TO236

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
400 мВ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
900 мВ
Длина
3мм
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
TO-236
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Материал транзистора
Кремний
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Вес, г
0.04

Техническая документация

BC847_SER
pdf, 271 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов