PMBTA92.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 148 шт.
Добавить в корзину 148 шт.
на сумму 740 руб.
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги6
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор биполярный PNP PMBTA92,215 производства NXP предназначен для использования в различных электронных схемах. Модель обеспечивает ток коллектора до 0,1 А и способна выдержать напряжение коллектор-эмиттер до 300 В, что делает его подходящим для высоковольтных применений. Мощность транзистора составляет 0,25 Вт. Благодаря монтажу SMD и компактному корпусу SOT23|TO236AB, транзистор легко интегрируется в миниатюрные печатные платы. Продукт PMBTA92215 отличается надежностью и стабильностью характеристик, что делает его востребованным компонентом при создании электронных устройств. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 300 |
| Мощность, Вт | 0.25 |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Технические параметры
| Корпус | to236 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 3 mm | |
| Другие названия товара № | PMBTA92 T/R | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 25 at 30 | |
| Конфигурация | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 1 mA at 10 V | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
| Ширина | 1.4 mm | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 300V | |
| Maximum DC Collector Current | 100mA | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Transistor Type | PNP | |
| Maximum Collector Base Voltage | -300 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -300 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 25 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
