IRF1018EPBF

Фото 2/3 IRF1018EPBFФото 3/3 IRF1018EPBF
Фото 1/3 IRF1018EPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001789542
Производитель: Infineon Technologies
39 руб.
Возможность поставки по запросу
от 150 шт. — 31.70 руб.
от 600 шт. — 30.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 61 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
55 руб. 658 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 51 руб.
от 150 шт. — 49 руб.
41 руб. 1-2 недели, 200 шт. 50 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 79 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.4 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 79 A
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 110 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.83мм
Высота 9.02мм
Размеры 10.67 x 4.83 x 9.02мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 13 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 55 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 46 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2290 пФ при 50 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура +175 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67mm
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Infineon
Максимальный непрерывный ток стока 79 A
Package Type TO-220AB
Maximum Power Dissipation 110 Вт
Серия HEXFET
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 4.83mm
Максимальное пороговое напряжение включения 4V
Высота 9.02мм
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Число контактов 3
Typical Gate Charge @ Vgs 46 нКл при 10 В
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 В, +20 В
Вес, г 2.673

Техническая документация

IRF1018EPBF datasheet
pdf, 449 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF1018EPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.