IRF2804STRL7PP

Фото 2/3 IRF2804STRL7PPФото 3/3 IRF2804STRL7PP
Фото 1/3 IRF2804STRL7PP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001789543
Производитель: Infineon Technologies
87 руб.
Возможность поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
410 руб. 2-4 недели, 1113 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 304 руб.
от 100 шт. — 243 руб.
340 руб. 7 дней, 170 шт. 2 шт. 2 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO2637, АБ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 280A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 160 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 320 A
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 330 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 10.05мм
Высота 4.55мм
Размеры 10.5 x 10.05 (With Tab) x 4.55мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 17 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 110 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 1.6 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 40 В
Число контактов 7
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 170 нКл
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 6930 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 2.138

Дополнительная информация

Datasheet IRF2804STRL7PP
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.