IKW50N60TFKSA1

Фото 2/4 IKW50N60TFKSA1Фото 3/4 IKW50N60TFKSA1Фото 4/4 IKW50N60TFKSA1
Фото 1/4 IKW50N60TFKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
500 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001789942
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2 В, Максимальная мощность 333 Вт, Заряд затвора 310 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 333 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IKW50N60T IKW5N6TXK SP000054888
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия TRENCHSTOP IGBT
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Brand Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 600 В
Максимальное рассеяние мощности 333 Вт
Максимальный непрерывный ток коллектора 100 A
Страна происхождения DE
Тип корпуса TO-247
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Число контактов 3
Вес, г 8.046

Техническая документация

Datasheet IKW50N60TFKSA1
pdf, 593 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.