STW11NM80

Фото 2/4 STW11NM80Фото 3/4 STW11NM80Фото 4/4 STW11NM80
Фото 1/4 STW11NM80
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001838425
Производитель: ST Microelectronics
210 руб.
158 шт. со склада г.Москва
от 30 шт. — 167 руб.
от 120 шт. — 159 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
191 руб. 3-4 недели, 1322 шт. 1 шт. 43 шт.
от 566 шт. — 165 руб.
320 руб. 4 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 280 руб.
450 руб. 7 дней, 11 шт. 1 шт. 5 шт.
от 10 шт. — 411 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Continuous Drain Current 11 A
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 150 W
Mounting Type Through Hole
Width 5.15mm
Height 20.15mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 15.75mm
Transistor Configuration Single
Brand STMicroelectronics
Series MDmesh
Minimum Operating Temperature -65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Drain Source Resistance 400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 800 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 43.6 nC @ 10 V
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Вес, г 6.288

Дополнительная информация

Datasheet STW11NM80
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.