IRFBG20PBF, Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.4А 54Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 22 шт. —
110 руб.
от 50 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
90 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.4А 54Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,4 A | |
| Тип корпуса | TO-220AB | |
| Максимальное рассеяние мощности | 54 W | |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия | |
| Ширина | 4.7мм | |
| Высота | 9.01мм | |
| Размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм | |
| Материал транзистора | SI | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Длина | 10.41мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Типичное время задержки включения | 9.4 ns | |
| Производитель | Vishay | |
| Типичное время задержки выключения | 58 нс | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 11 Ω | |
| Максимальное напряжение сток-исток | 1000 V | |
| Число контактов | 3 | |
| Категория | Мощный МОП-транзистор | |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 38 нКл при 10 В | |
| Номер канала | Поднятие | |
| Типичная входная емкость при Vds | 500 пФ при 25 В | |
| Тип канала | N | |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.4A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 54W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 840mA, 10V | |
| Series | - | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 54 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Width | 4.7mm | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 507 КБ
Документация
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
