BU406

Ном. номер: 8001922564
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 BU406
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BU406Фото 3/4 BU406Фото 4/4 BU406
40 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 36 руб.
от 250 шт. — 34.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 113 шт.
Добавить в корзину 113 шт. на сумму 4 520 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Мощный высоковольтный кремниевый n-p-n транзистор BU406 с высокой скоростью переключения и низким напряжением насыщения для выходных каскадов строчной развертки.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 200 В;

Напряжение коллектор-база: 400 В;

Напряжение эмиттер-база: 6 В;

Ток коллектора постоянный: 7 А;

Ток коллектора импульный: 15 А;

Ток базы: 4 А; Мощность: 60 Вт;

Обратный ток эмиттера: 1 мА;

Напряжение насыщения К-Э: 1 В;

Напряжение насыщения Б-Э: 1.2 В;

Граничная частота: 10 мГц;

Выходная емкость: 80 пФ;

Время спада импульса: 0.75 мкс

Корпус TO-220-3

Технические параметры

Вес, г
2.71

Дополнительная информация

Datasheet BU406
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов