BSS138

Фото 2/6 BSS138Фото 3/6 BSS138Фото 4/6 BSS138Фото 5/6 BSS138Фото 6/6 BSS138
Фото 1/6 BSS138
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001923336
Производитель: ON Semiconductor
3 руб.
Возможность поставки по запросу
от 2400 шт. — 1.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 1029 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
80 руб. 10420 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 42 руб.
от 5 шт. — 19 руб.
от 10 шт. — 11 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

МОП-транзистор с N-каналом и управлением логическими уровнями; напряжение сток-исток 50 В; ток стока 0.22 А, сопротивление открытого канала 3.5 Ом; напряжение исток-затвор 20 В; заряд затвора 1.7 нКл; мощность рассеивания 0.36 Вт; корпус SOT-23

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 2.92mm
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 220 mA
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 360 mW
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.3mm
Maximum Gate Threshold Voltage 1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 0.8V
Height 0.93mm
Maximum Drain Source Resistance 3.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 50 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 1.7 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 220 мА
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 360 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.3мм
Высота 0.93мм
Размеры 2.92 x 1.3 x 0.93мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 2.92мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 2,5 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 20 нс
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 1.35V
Minimum Gate Threshold Voltage 0.8V
Максимальное сопротивление сток-исток 3.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 50 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 1,7 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 27 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.031

Техническая документация

BSS138
pdf, 116 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BSS138
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.