BSS123

Ном. номер: 8001923687
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 BSS123
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BSS123Фото 3/5 BSS123Фото 4/5 BSS123Фото 5/5 BSS123
2 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 3000 шт. — 1.70 руб.
от 6000 шт. — 1.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 2476 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
6 руб. 6492 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 4.60 руб.
от 1000 шт. — 4.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
170 mA
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.3мм
Высота
0.93мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
1.7 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17 ns
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
1,8 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
73 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
170 мА
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.3мм
Высота
0.93мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
1,7 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
1,8 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
73 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.034

Техническая документация

BSS123
pdf, 145 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BSS123
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов