FGB20N60SFD_F085

FGB20N60SFD_F085
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
Добавить в корзину 21 шт. на сумму 2 310 руб.
Номенклатурный номер: 8001925362
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1, АБ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A FSP IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 208 W
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № FGB20N60SFD_F085
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 800
Серия FGB20N60S_F085
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок D2PAK-3
Вес, г 1.63

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.