HGTG30N60B3D

Фото 2/5 HGTG30N60B3DФото 3/5 HGTG30N60B3DФото 4/5 HGTG30N60B3DФото 5/5 HGTG30N60B3D
Фото 1/5 HGTG30N60B3D
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 1 280 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001927866
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

Корпус TO-247-3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 208 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 20.82 mm
Длина 15.87 mm
Другие названия товара № HGTG30N60B3D_NL
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V
Непрерывный коллекторный ток 60 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 450
Серия HGTG30N60B3D
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 4.82 mm
Base Product Number HGTG30N60 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A
ECCN EAR99
Gate Charge 170nC
HTSUS 8541.29.0095
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 208W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 55ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 550ВµJ (on), 680ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 36ns/137ns
Test Condition 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 7.007

Техническая документация

HGTG30N60B3D
pdf, 228 КБ
Datasheet HGTG30N60B3D
pdf, 311 КБ
Datasheet HGTG30N60B3D
pdf, 424 КБ
Datasheet HGTG30N60B3D
pdf, 295 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.