BSS806NEH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
306 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
65 руб.
от 10 шт. —
48 руб.
от 100 шт. —
31.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 8001935626
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS806NEH6327XTSA1 от производителя INFINEON предназначен для монтажа типа SMD. Отличается током стока 2,3 А, напряжением сток-исток 20 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,082 Ом. Компактный корпус SOT23 делает его идеальным выбором для миниатюрных схем. Код товара BSS806NEH6327XTSA1 подчеркивает его уникальность и облегчает поиск в каталоге. Этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность в различных областях применения, где требуется управление мощностью на низком уровне. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 2.3 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.082 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 3.7 ns |
| Forward Transconductance - Min | 9 S |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS806NE H6327 SP000999336 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.7 nC |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 41 mOhms |
| Rise Time | 9.9 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSS806 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.5 ns |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Width | 1.3 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Qg - заряд затвора | 1.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 41 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 550 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 9.9 ns |
| Время спада | 3.7 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | BSS806NE H6327 SP000999336 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSS806 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Base Product Number | BSS806 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.75V @ 11ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 82 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.75V |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ 2.5 V |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSS806NEH6327XTSA1
pdf, 566 КБ
Datasheet BSS806NEH6327XTSA1
pdf, 509 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
