IRFR540Z

Фото 2/2 IRFR540Z
Фото 1/2 IRFR540Z
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва
230 руб.
от 2 шт.150 руб.
от 5 шт.104 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001939239
Производитель: Infineon Technologies

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 35 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 91 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 43 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 29 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 39 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1690 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах