IRFR540Z

IRFR540Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.200 руб.
от 10 шт.174 руб.
от 100 шт.152.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 520 руб.
Номенклатурный номер: 8001939239

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 35A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0225ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand Infineon/IR
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 34 ns
Forward Transconductance - Min 28 S
Height 2.3 mm
Id - Continuous Drain Current 35 A
Length 6.5 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 91 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 39 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 28.5 mOhms
Rise Time 42 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 43 ns
Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Unit Weight 0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Width 6.22 mm
Вес, г 0.4

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов