IRFR540Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
174 руб.
от 100 шт. —
152.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 35A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0225ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Brand | Infineon/IR |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 34 ns |
Forward Transconductance - Min | 28 S |
Height | 2.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 35 A |
Length | 6.5 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 91 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 39 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 28.5 mOhms |
Rise Time | 42 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 43 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Width | 6.22 mm |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Документация
pdf, 371 КБ
Datasheet IRFR540Z, IRFU540Z (Infineon)
pdf, 353 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов