2SCR523EBTL
100 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
73 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
34 руб.
от 100 шт. —
25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 146 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANS, NPN, 50V, 0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:350MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:120hFE;
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.1 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 |
| DC Current Gain hFE Max | 560 at 1 mA at 6 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 350 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | EMT-3F-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | 2SCR523EB |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SCR523EB |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | NPN |
Техническая документация
Документация
pdf, 1502 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
