2SCR533P5T100
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
91 руб.
от 10 шт. —
73 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001955187
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
TRANS, NPN, 50V, 3A, 150DEG C, 0.5W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:180hFE; Transistor
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 130 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 180 at 50 mA, 3 V |
| DC Current Gain hFE Max | 450 at 50 mA, 3 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 320 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-62-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SxR |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SCR533P5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at 50 mA, 3 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 50 mA, 3 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SxR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 180 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| DC Current Gain hFE Min | 180hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.032 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SCR533P5T100
pdf, 1805 КБ
Datasheet 2SCR533P5T100
pdf, 1811 КБ
Документация
pdf, 1838 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
