SCT2750NYTB

Фото 1/2 SCT2750NYTB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 рабочих дней
1 910 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 910 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001957642
Бренд / Производитель: Rohm

Описание

МОП-транзистор N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 6 A
Pd - рассеивание мощности 57 W
Qg - заряд затвора 17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 750 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.7 kV
Vgs - напряжение затвор-исток 6 V, + 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.6 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 24 ns
Время спада 63 ns
Другие названия товара № SCT2750NY
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 600 mS
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Серия SCT2x
Технология SiC
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 41 ns
Типичное время задержки при включении 19 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок TO-268-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 5.9A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 57W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 975mО© @ 1.7A,18V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1700V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 630uA

Техническая документация

Datasheet SCT2750NYTB
pdf, 1165 КБ
Datasheet SCT2750NYTB
pdf, 827 КБ
Datasheet SCT2750NYTB
pdf, 833 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах