SCT2750NYTB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 рабочих дней
1 910 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 910 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 57 W |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 750 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.7 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, + 22 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 63 ns |
| Другие названия товара № | SCT2750NY |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 600 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | SCT2x |
| Технология | SiC |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 5.9A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 57W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 975mО© @ 1.7A,18V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1700V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 630uA |
Техническая документация
Datasheet SCT2750NYTB
pdf, 1165 КБ
Datasheet SCT2750NYTB
pdf, 827 КБ
Datasheet SCT2750NYTB
pdf, 833 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
