Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › No trademark › IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

53 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней

270 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 210 руб.

от 10 шт. — 183 руб.

от 53 шт. — 162.50 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 540 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001957923

Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 30V, 50A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0063ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	2.8 ns
Forward Transconductance - Min	61 S
Height	2.3 mm
Id - Continuous Drain Current	50 A
Length	6.5 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Part # Aliases	IPD75N3LGXT SP000680634
Pd - Power Dissipation	47 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	18 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	6.3 mOhms
Rise Time	3.6 ns
RoHS	Details
Series	OptiMOS 3
Technology	Si
Tradename	OptiMOS
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Unit Weight	0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	6.22 mm
Id - непрерывный ток утечки	50 A
Pd - рассеивание мощности	47 W
Qg - заряд затвора	18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3.6 ns
Время спада	2.8 ns
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Другие названия товара №	IPD075N03L G SP000680634
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	61 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	OptiMOS 3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	4.3 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)	50
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	7.5 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	47000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	OptiMOS
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	2.8
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	18
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	18 10V\|8.7 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1400 15V
Typical Rise Time (ns)	3.6
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	17
Typical Turn-On Delay Time (ns)	4.3
Case	PG-TO252-3
Drain current	35A
Drain-source voltage	30V
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
On-state resistance	7.5mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	47W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.4