2SB1560
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
1 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 030 руб.
Описание
Электроэлемент
:2SB1560; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:5000; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5000 @ 7A, 4V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Manufacturer | Sanken |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100W |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Transistor Type | PNP-Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 7mA, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Вес, г | 5.95 |
Техническая документация
1560
pdf, 24 КБ
Datasheet 2SB1560
pdf, 29 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
