AOD3N50

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

220 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 170 руб.

от 10 шт. — 138 руб.

от 54 шт. — 119.25 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 440 руб.

Номенклатурный номер: 8001991240

Электроэлемент

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 1,8А, 57Вт, TO252 Характеристики

Automotive	Unknown
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	2.8
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	3000@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	500
Maximum Gate Source Voltage - (V)	?30
Maximum Power Dissipation - (mW)	57000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (?C)	-50~150
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	6.7
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	6.7@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	276@25V
Case	TO252
Drain current	1.8A
Drain-source voltage	500V
Gate charge	6.7nC
Gate-source voltage	±30V
Kind of channel	enhanced
Manufacturer	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Mounting	SMD
On-state resistance	3Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	57W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.45