BSZ160N10NS3G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

155 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней

520 руб.

от 2 шт. — 420 руб.

от 5 шт. — 347 руб.

от 10 шт. — 321.30 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 8001996860

Бренд: Нет торговой марки

Электроэлемент

100V 8A 2.1W 16mOhm@10V,20A 3.5V@33uA N Channel TSDSON-8(3.3x3.3) MOSFETs

Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	1 N-Channel
Factory Pack Quantity	5000
Fall Time	5 ns
Forward Transconductance - Min	16 S
Height	1.1 mm
Id - Continuous Drain Current	40 A
Length	3.3 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TSDSON-8
Packaging	Reel
Part # Aliases	BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GXT SP000482390
Pd - Power Dissipation	63 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	25 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	14 mOhms
Rise Time	10 ns
RoHS	Details
Series	OptiMOS 3
Technology	Si
Tradename	OptiMOS
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Width	3.3 mm
Вес, г	0.3