Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF1010EZ

IRF1010EZ

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 руб.

от 2 шт. — 430 руб.

от 5 шт. — 353 руб.

от 10 шт. — 326.34 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.

Номенклатурный номер: 8002002487

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой IRF1010EZPBF от известного производителя INFINEON является высокопроизводительным компонентом для монтажа THT. Оснащенный корпусом TO220AB, этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 84 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 60 В, что делает его идеальным для мощных применений. С мощностью до 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0085 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Продукт с кодом IRF1010EZPBF представляет собой оптимальный выбор для разработчиков силовой электроники, ищущих компоненты с улучшенными характеристиками и длительным сроком службы. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	84
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	140
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0085
Корпус	TO220AB

Технические параметры

Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Id - непрерывный ток утечки	84 A
Pd - рассеивание мощности	140 W
Qg - заряд затвора	58 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.65 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	SP001571244
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.4 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	84 A
Maximum Drain Source Resistance	8.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	140 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	58 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Вес, г	2.9