IPD075N03LG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 руб.
от 2 шт. —
1 080 руб.
от 5 шт. —
987 руб.
от 10 шт. —
942.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 руб.
Описание
Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 30V, 0.0114OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 47 W |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.6 ns |
| Время спада | 2.8 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | IPD075N03L G SP000680634 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 61 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.5 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 47000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | OptiMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 2.8 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18 10V|8.7 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1400 15V |
| Typical Rise Time (ns) | 3.6 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.3 |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Case | PG-TO252-3 |
| Drain current | 35A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| On-state resistance | 7.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 47W |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1189 КБ
Datasheet IPD075N03LGATMA1
pdf, 945 КБ
Datasheet IPD075N03LGATMA1
pdf, 956 КБ
Infineon_IPD075N03LG_DataSheet_v02_02_EN-1226958
pdf, 945 КБ
Документация
pdf, 998 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
