BD680

Фото 1/5 BD680
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
44 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.170 руб.
от 10 шт.142 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8002012415
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
Описание Биполярный транзистор BD680 от STMicroelectronics представляет собой высокопроизводительный компонент в корпусе TO126 для монтажа THT. Этот PNP Дарлингтон транзистор характеризуется током коллектора 4 А и напряжением коллектор-эмиттер 80 В, обеспечивая мощность до 40 Вт. Отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, включая силовую электронику, управление нагрузками и усилительные устройства. Модель BD680 обладает улучшенными характеристиками благодаря технологии Дарлингтона, позволяя достигать высоких показателей усиления тока при минимальных управляющих мощностях. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP, Дарлингтон
Монтаж THT
Ток коллектора, А 4
Напряжение коллектор-эмиттер, В 80
Мощность, Вт 40
Корпус TO126

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 80 V
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 750
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 2000
Height 10.8 mm
Length 7.8 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current 200 uA
Maximum DC Collector Current 4 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case SOT-32
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 40 W
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series Darlingtons
Transistor Polarity PNP
Width 2.7 mm
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage 80 V
Maximum Continuous Collector Current 4 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum DC Current Gain 750
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-32
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Brand: STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 750
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current: 200 uA
Maximum DC Collector Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-225-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 40 W
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: BD680
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 12.8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 377 КБ
Datasheet
pdf, 367 КБ
Datasheet BD680
pdf, 362 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.