AUIRFR5305
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
920 руб.
от 2 шт. —
850 руб.
от 5 шт. —
794 руб.
от 10 шт. —
774 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 920 руб.
Номенклатурный номер: 8002016220
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -55V, TO-252AA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Configuration | Single Quint Source |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 63 ns |
| Forward Transconductance - Min | 8 S |
| Height | 2.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -31 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 63 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Rise Time | 66 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -4 V |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet AUIRFR5305
pdf, 300 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
