DTC114TUAT106
80 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
99 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
57 руб.
от 10 шт. —
47 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 198 руб.
Номенклатурный номер: 8002018938
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 100 |
DC Current Gain hFE Max | 600 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Height | 0.8 mm |
Length | 2 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | NPN |
Typical Input Resistor | 10 kOhms |
Unit Weight | 0.000988 oz |
Width | 1.25 mm |
Техническая документация
Документация
pdf, 1330 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.