IMH2AT110
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
60 руб.
от 100 шт. —
50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 196 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA SOT-457
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 68 |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-74-6 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| RoHS | Details |
| Series | IMH2A |
| Transistor Polarity | NPN |
| Typical Input Resistor | 47 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Width | 1.6 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | IMH2A |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 68 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IMH2A |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 47 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Вес, г | 0.035 |
Техническая документация
Datasheet IMH2AT110
pdf, 1419 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
