UMT2222AT106
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
200 руб.
от 2 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
71 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
100nA 40V 200mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) UMT3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 0.6 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 35 |
DC Current Gain hFE Max | 300 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
Height | 0.8 mm |
Length | 2 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 0.2 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | UMT2222A |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.00709 oz |
Width | 1.25 mm |
Part # Aliases | UMT2222A |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory | Transistors |
Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet UMT2222AT106
pdf, 1422 КБ
Документация
pdf, 1449 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.