IRF5210S

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 руб.
от 2 шт. —
540 руб.
от 5 шт. —
491 руб.
от 10 шт. —
475 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Номенклатурный номер: 8002024955
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:3.8W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-40A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:140A; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 38A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В C ~ 150В C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 3.1W(Ta), 170W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm 38A, 10V |
Series | HEXFETВ(r) |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V 250ВuA |
Вес, г | 3.05 |
Техническая документация
Datasheet IRF5210S, IRF5210L
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов