IRF5210S

IRF5210S
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
610 руб.
от 2 шт.540 руб.
от 5 шт.491 руб.
от 10 шт.475 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
Номенклатурный номер: 8002024955
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:3.8W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-40A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:140A; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 38A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF 25V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В C ~ 150В C(TJ)
Package / Case TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Tape и Reel(TR)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W(Ta), 170W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm 38A, 10V
Series HEXFETВ(r)
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V 250ВuA
Вес, г 3.05

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов