IRF620S
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Номенклатурный номер: 8002025021
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation P
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.2A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 50W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Документация
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
