IRF7103
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1641 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
88 руб.
от 100 шт. —
75.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8002025076
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Dual Dual Drain |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 130@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 50 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 2 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 12 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 12@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 290@25V |
Typical Output Capacitance - (pF) | 140 |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
deIRF7103_Data_E
pdf, 273 КБ
IRF7103 Datasheet
pdf, 169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.