IRF7103

Фото 1/4 IRF7103
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1641 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.110 руб.
от 10 шт.88 руб.
от 100 шт.75.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8002025076
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Dual Dual Drain
Maximum Continuous Drain Current - (A) 3
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 130@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 50
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 3
Maximum Power Dissipation - (mW) 2000
Military No
Number of Elements per Chip 2
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 8
Standard Package Name SOP
Supplier Package SOIC
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 12
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 12@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 290@25V
Typical Output Capacitance - (pF) 140
Вес, г 0.15

Техническая документация

deIRF7103_Data_E
pdf, 273 КБ
IRF7103 Datasheet
pdf, 169 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.