IRF820AS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 2 шт. —
470 руб.
от 3 шт. —
424 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Электроэлемент
Single N-Channel 500 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2.5 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3000@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 50000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | Single |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 17(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 17(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 340@25V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3000 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 50000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 17(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.1 |
| Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 213 КБ
Datasheet
pdf, 245 КБ
Datasheet IRF820ASPBF
pdf, 177 КБ
Документация
pdf, 236 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
