IRF9Z34NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
159 руб.
от 11 шт. —
152.46 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8002025610
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-263, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-19A, Drain Source Voltage Vds:-55V, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-4V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 19A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 68W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRF9Z34NSPBF Datasheet
pdf, 1102 КБ
Документация
pdf, 167 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
