IRFL014N

IRFL014N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1788 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.87 руб.
от 10 шт.68 руб.
от 100 шт.49.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8002025746
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
N CHANNEL MOSFET, 55V, 1.9A SOT-223, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.9A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.16ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, No. of Pins:3 , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Dual Drain
Maximum Continuous Drain Current - (A) 2.7
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 160@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 55
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 4
Maximum Power Dissipation - (mW) 2100
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 4
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-223
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 7
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 7@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 190@25V
Typical Output Capacitance - (pF) 72
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet IRFL014NTRPBF
pdf, 158 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.