IRFR5305

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
123 руб.
от 100 шт. —
117 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8002025975
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
MOSFET, P CH, 55V, 31A, DPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 63 ns |
Forward Transconductance - Min | 8 S |
Height | 2.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | -31 A |
Length | 6.5 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 110 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 42 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
Rise Time | 66 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | P-Channel |
Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -55 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 6.22 mm |
Вес, г | 0.64 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов