IRL3705NS

IRL3705NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
34 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
620 руб.
от 2 шт.520 руб.
от 5 шт.444 руб.
от 10 шт.411.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 620 руб.
Номенклатурный номер: 8002026690
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 55V, 89A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:89A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.01ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 89
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 10@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 55
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??16
Maximum Power Dissipation - (mW) 3800
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Process Technology Single
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 98(Max)@5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 3600@25V
Вес, г 2.5

Техническая документация

Документация
pdf, 303 КБ
Datasheet IRL3705N
pdf, 106 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.