IRL3705NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
620 руб.
от 2 шт. —
520 руб.
от 5 шт. —
444 руб.
от 10 шт. —
411.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 620 руб.
Номенклатурный номер: 8002026690
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 55V, 89A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:89A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.01ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 89 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 10@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??16 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 3800 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Process Technology | Single |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 98(Max)@5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3600@25V |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 303 КБ
Datasheet IRL3705N
pdf, 106 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.