IRL540

Фото 1/3 IRL540
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
360 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
Номенклатурный номер: 8002026699
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Chan 100V 28 Amp

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 28 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 64 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 77 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 170 ns
Время спада 80 ns
Высота 15.49 mm
Длина 10.41 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 12 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 8.5 ns
Типичное время задержки при включении 35 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Base Product Number IRL540 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A) 28
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 77 5V
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±10
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 150000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 80
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 64(Max)5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 2200 25V
Typical Rise Time (ns) 170
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 35
Typical Turn-On Delay Time (ns) 8.5

Техническая документация

Datasheet IRL540PBF
pdf, 1140 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов