IRLR2705
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1863 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
160 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
110.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Номенклатурный номер: 8002026757
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 55V, 28A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Pow
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Fall Time | 29 ns |
| Forward Transconductance - Min | 11 S |
| Height | 2.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 46 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 16.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Rise Time | 100 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | HEXFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V to 2 V |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Документация
pdf, 266 КБ
Datasheet IRLR2705PBF
pdf, 217 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
