AON7407
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
104 руб.
от 49 шт. —
86.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Номенклатурный номер: 8002027343
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой N-MOSFET AON7407 от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD), который предлагает отличные характеристики для широкого спектра электронных устройств. С током стока 29 А и напряжением сток-исток 20 В, этот транзистор способен обеспечить мощность до 12 Вт, что делает его идеальным выбором для области применения в силовой электронике. Его корпус DFN8 обеспечивает надежную интеграцию в самые современные электронные схемы. Модель AON7407 отличается высокой эффективностью и надежностью, благодаря чему находит применение в различных электронных проектах и устройствах, требующих стабильной работы при высоких нагрузках. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 29 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 12 |
| Корпус | DFN8 |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 40 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 9.5@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 0.9 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 29000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Supplier Package | DFN-A EP |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 44@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3495@10V |
| Case | DFN3x3 EP |
| Drain current | -29A |
| Drain-source voltage | -20V |
| Gate charge | 44nC |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 18mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 12W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Документация
pdf, 242 КБ
