MMBFJ310LT1G, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]
![Фото 1/6 MMBFJ310LT1G, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 руб.
Описание
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт
Технические параметры
| Структура | N-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 25 |
| Ток утечки (Idss), мА | 24…60 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 10 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 2…6.5 |
| при Id, нА | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet MMBFJ310LT3G
pdf, 108 КБ
MMBFJ309, MMBFJ310
pdf, 409 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
