2SC5663T2L
101 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
76 руб.
от 100 шт. —
64 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 15 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 12 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 90 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 500 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 270 |
DC Current Gain hFE Max | 680 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 8000 |
Gain Bandwidth Product fT | 320 MHz |
Height | 0.5 mm |
Length | 1.2 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.5 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | VMT-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SC5663 |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 0.8 mm |
Техническая документация
Документация
pdf, 1333 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.