FF225R12ME4BOSA1
40 380 руб.
от 10 шт. —
32 560 руб.
от 30 шт. —
31 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 380 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый модуль для монтажа на шасси 1200 В, 320 А, 1050 Вт
Технические параметры
| Base Product Number | FF225R12 -> |
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 320A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 3mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 1050W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Series | EconoDUALв„ў 3 -> |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 225A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 395 |
Техническая документация
Datasheet FF225R12ME4BOSA1
pdf, 612 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
