FFSPF2065A, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 20 А, 64 нКл, TO-220FP
см. техническую документацию
Описание
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
• Max Junction Temperature 175°C
• AEC-Q101 qualified
• Avalanche Rated 200 mJ
• No Reverse Recovery/No Forward Recovery
• Ease of Paralleling
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient
Технические параметры
| Конфигурация диода | Одиночный | |
| Average Forward Current | 20А | |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В | |
| Количество Выводов | 2 Вывода | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 64нКл | |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220FP | |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие | |
| If - прямой ток | 20 A | |
| Ifsm - ударный прямой ток | 105 A | |
| Ir - обратный ток | 200 uA | |
| Pd - рассеивание мощности | 49 W | |
| Vf - прямое напряжение | 1.75 V | |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 650 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки | |
| Конфигурация | Single | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers | |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Технология | SiC | |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers | |
| Торговая марка | ON Semiconductor | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220F-2 | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
