IXXH50N60C3D1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели

2 490 руб.

от 2 шт. — 2 340 руб.

от 3 шт. — 2 250 руб.

от 5 шт. — 2 130 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 490 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002410643

Артикул: IXXH50N60C3D1

Бренд: Littelfuse

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт

Корпус	TO-247(IXXH)
Brand	IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.3 V
Continuous Collector Current at 25 C	100 A
Factory Pack Quantity	30
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Manufacturer	IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247AD
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	600 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	IXXH50N60
Technology	Si
Tradename	XPT
Unit Weight	0.229281 oz
Вес, г	6