AS6C6264-55PCN, Микросхема памяти, SRAM, 8Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, DIP28

Фото 2/2 AS6C6264-55PCN, Микросхема памяти, SRAM, 8Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, DIP28
Фото 1/2 AS6C6264-55PCN, Микросхема памяти, SRAM, 8Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, DIP28
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
131 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
760 руб.
от 2 шт.530 руб.
от 8 шт.488 руб.
от 60 шт.389.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002502279
Артикул: AS6C6264-55PCN
Производитель: Alliance Memory Inc

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные
Статическая оперативная память, память Alliance

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +70 °C
Длина 36.32мм
Минимальное рабочее напряжение питания 2,7 В
Производитель Alliance Memory
Объем памяти 64Кбит
Тип синхронизации Асинхронный
Тип корпуса PDIP
Low Power Yes
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура 0 °C
Максимальное время произвольного доступа 55нс
Ширина 13.21мм
Организация 8К слов x 8 бит
Высота 3.81мм
Ширина адресной шины 13бит
Максимальное рабочее напряжение питания 5,5 В
Число контактов 28
Размеры 36.32 x 13.21 x 3.81мм
Количество слов 8K
Количество бит на слово 8бит
Maximum Operating Temperature +70 °C
Length 36.32мм
Minimum Operating Supply Voltage 2,7 В
Brand Alliance Memory
Package Type PDIP
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Maximum Random Access Time 55нс
Width 13.21мм
Organisation 8К x 8 бит
Height 3.81мм
Maximum Operating Supply Voltage 5,5 В
Pin Count 28
Dimensions 36.32 x 13.21 x 3.81мм
Вид монтажа Through Hole
Время доступа 55 ns
Категория продукта Стат. ОЗУ
Напряжение питания - макс. 45 mA, 5.5 V
Напряжение питания - мин. 2.7 V
Подкатегория Memory Data Storage
Размер памяти 64 kbit
Размер фабричной упаковки 15
Серия AS6C6264
Тип Asynchronous
Тип интерфейса Parallel
Тип памяти SDR
Тип продукта SRAM
Торговая марка Alliance Memory
Упаковка Tube
Упаковка / блок PDIP-28
Access Time 55ns
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 64Kb (8K x 8)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tube
Package / Case 28-DIP (0.600"", 15.24mm)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 28-PDIP
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Write Cycle Time - Word, Page 55ns
Вес, г 4.81

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1436 КБ
Datasheet
pdf, 1573 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах