AOD9N50, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,7А, 178Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
390 руб.
от 5 шт. —
200 руб.
от 25 шт. —
175 руб.
от 100 шт. —
136.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,7А, 178Вт, TO252 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 860@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4.5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 178000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 19.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 19.5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 962@25V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Документация
pdf, 388 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
