BD244CG, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 65Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 15 шт. —
160 руб.
от 30 шт. —
142 руб.
от 50 шт. —
135 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Описание Транзистор PNP, биполярный, 100В, 6А, 65Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Brand | ON Semiconductor | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 6 A | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
| Factory Pack Quantity | 50 | |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz | |
| Height | 9.28 mm(Max) | |
| Length | 10.28 mm(Max) | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Maximum DC Collector Current | 6 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -65 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 65 W | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| RoHS | Details | |
| Series | BD244C | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Unit Weight | 0.211644 oz | |
| Width | 4.82 mm(Max) | |
| Brand: | onsemi | |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current: | 6 A | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 | |
| Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz | |
| Manufacturer: | onsemi | |
| Maximum DC Collector Current: | 6 A | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package / Case: | TO-220-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W | |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
| Series: | BD244C | |
| Subcategory: | Transistors | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | PNP | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc | |
| Maximum Power Dissipation | 65 W | |
| Minimum DC Current Gain | 30 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | PNP | |
| Вес, г | 1.99 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
