IRF840ALPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,1А, 125Вт, I2PAK

IRF840ALPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,1А, 125Вт, I2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
57 шт., срок 6-8 недель
250 руб.
от 3 шт.220 руб.
от 10 шт.192 руб.
от 50 шт.156.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Номенклатурный номер: 8002506863
Артикул: IRF840ALPBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET TO-26

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 3.1 W
Qg - заряд затвора 38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 850 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.65 mm
Длина 10.67 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-262-3
Ширина 4.83 mm
Вес, г 1.5

Техническая документация

Datasheet IRF840ALPBF
pdf, 209 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах