IRF840ALPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,1А, 125Вт, I2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 3 шт. —
400 руб.
от 10 шт. —
341 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,1А, 125Вт, I2PAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 9.65 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 850@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-262 |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 38(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 38(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1018@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 23 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 235 КБ
Datasheet IRF840ALPBF
pdf, 209 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
