IRFP7430PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 404А, 366Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Описание Полевой транзистор IRFP7430PBF от производителя INFINEON является высокопроизводительным компонентом категории транзисторов с N-MOSFET структурой. Этот элемент обладает потрясающей способностью коммутировать ток до 404 А при напряжении сток-исток в 40 В, что делает его идеальным выбором для силовой электроники. Мощность устройства достигает 366 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0013 Ом, обеспечивая высокую эффективность. Монтирование осуществляется через технологию THT, а корпус TO247AC обеспечивает надежную работу и простоту установки. При выборе транзистора IRFP7430PBF вы получаете компонент с отличными характеристиками для мощных применений. Код товара для удобства поиска и заказа: IRFP7430PBF. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 404 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Мощность, Вт | 366 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0013 |
| Корпус | TO247AC |
Технические параметры
| Base Product Number | IRFP7430 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 460nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14240pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 366W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 100A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ®, StrongIRFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 195 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 366 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 460 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
